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山东11选5-极速山东11选5ROHM开发出采用4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

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全球知名半导体制造商ROHM(总部处在日本京都),开发出6款沟槽栅形态※山东11选山东11选5-极速山东11选55-极速山东11选51)SiC MOSFET “SCT3山东11选5-极速山东11选5xxx xR系列”产品(63000V 13000V耐压),非常适用于要求高数率的服务山东11选5-极速山东11选5器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。此次新开

全球知名半导体制造商ROHM(总部处在日本京都),开发出6款沟槽栅形态※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品(63000V/13000V耐压),非常适用于要求高数率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。

此次新开发的系列产品采用4引脚封装(TO-247-4L),可充分地发挥出SiC MOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装(TO-247N)相比,开关损耗可降低约35%,非常促进进一步降低各种设备的功耗。

另外,罗姆也已刚刚开始了了供应SiC MOSFET评估板“P02SCT30040KR-EVK-001”,该评估板中配置有非常适用于SiC元器件的驱动的ROHM栅极驱动器IC(BM6101FV-C)、各种电源IC及分立产品,可为客户提供轻松进行元器件评估的处里方案。

本系列产品已于2019年8月起以月产3000万个的规模逐步投入量产(样品价格2,3000日元起,不含税)。生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈)。此外,本系列产品和评估板已于2019年9月起刚刚开始了了网售,可从AMEYA3300、icHub购买。

近年来,随着AI和IoT的发展与普及,对云服务的需求日益增加,与此并肩,在全球范围对数据中心的需求也随之增长。数据中心所使用的服务器正在向大容量、高性能方向发展,而如何降低功耗量就成为有一一两个 亟需处里的课题。其他人面,以往服务器的功率转换电路中,主要采用的是硅(Si)元器件,如今,损耗更低的SiC元器件被寄予厚望。有点硬是采用了TO-247-4L封装的SiC MOSFET,与以往封装相比,可降低开关损耗,但是有望应用于服务器、基站、太阳能发电等高输出应用中。

2015年,ROHM于全球第一家成功实现沟槽栅形态SiC MOSFET的量产,并总爱致力于领先于行业的产品开发。此次新开发出63000V/13000V耐压的低损耗SiC MOSFET,未来也会继续推进创新型元器件的开发,并肩提供包括非常适用于SiC驱动的栅极驱动器IC等在内的处里方案,为进一步降低各种设备的功耗贡献力量。

山东11选5-极速山东11选5<特点>

采用4引脚封装(TO-247-4L),开关损耗降低约35%

在传统的3引脚封装(TO-247N)中,源极引脚的电感分量※2)会引起栅极电压下降,并意味着开关数率延迟。

此次,SCT3xxx xR系列所采用的4引脚封装(TO-247-4L),并能分离电源源极引脚和驱动器源极引脚,但是,可减少电感分量的影响。本来,并能充分地发挥出SiC MOSFET的高速开关性能,尤其是并能显著改善导通损耗。与以往产品相比,导通损耗和关断损耗合起来预计可降低约35%的损耗。

<产品阵容>

SCT3xxx xR系列是采用沟槽栅形态的SiC MOSFET。此次新推出了共6款机型,其中包括63000V的3款机型和13000V的3款机型。

<应用>

服务器、基站、太阳能逆变器、蓄电系统、电动汽车的充电站等。

<评估板信息>

SiC MOSFET评估板“P02SCT30040KR-EVK-001”中配备了非常适用于SiC元器件驱动的ROHM栅极驱动器IC(BM6101FV-C)、各种电源IC及分立产品,可轻松进行元器件的评估。为了提供在同四根件下的评估环境,该评估板不仅并能评估TO-247-4L封装的产品,还可安装并评估TO-247N封装的产品。另外,使用该评估板,可进行双脉冲测试、Boost电路、两电平逆变器、同步整流型Buck电路等评估。

刚刚开始了了销售时间2019年9月

评估板型号P02SCT30040KR-EVK-001

网售平台 AMEYA3300、icHub

评估板的构成

<术语解说>

※1 沟槽栅形态

沟槽(Trench)意为凹槽。是在芯片表冠部层形成凹槽,并在其侧壁形成MOSFET栅极的形态。不处在平面型MOSFET在形态上处在的JFET电阻,比平面形态更容易实现微细化,有望实现接近SiC材料本来性能的导通电阻。

※2 电感分量

表示电流变化时由电磁感应产生的电动势大小的量。

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